国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司申请一项名为“双向HEMT器件和电子设备”的专利，公开号CN122602536A，申请日期为2026年6月。

专利摘要显示，本申请提供一种双向HEMT器件和电子设备。其中，该双向HEMT器件包括衬底、沟道层、势垒层、第一电极、第二电极、第一栅极、场板和电位管理电路。沟道层位于衬底的一侧。势垒层位于沟道层远离势垒层的一侧。第一电极、第二电极和第一栅极均位于势垒层远离沟道层的一侧；第一栅极位于第一电极和第二电极之间；场板与第一电极、第二电极和第一栅极位于势垒层的同一侧，场板位于第一电极和第二电极之间。电位管理电路与第一电极、第二电极以及场板连接，电位管理电路被配置为将第一电极、第二电极中处于较低电位的一者与场板导通。可实现，降低器件的米勒比。

天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本440000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息302条，此外企业还拥有行政许可54个。

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来源：市场资讯