三星公布下一代存储器战略:HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
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2026-09-02 13:02:45
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9月2日消息,在SEMICON Taiwan 2026展前峰会“Memory Executive Summit”上,三星正式公布了新一代3D存储器战略框架——CUBE,并同步展示了HBM5、zHBM及zNAND-O的技术路线图。这一系列布局标志着三星正以架构级创新为核心,全面争夺AI时代的存储器市场主导权。

CUBE是三星下一代3D内存战略的核心框架,四个字母分别代表:Capacity(容量)、Utilization(利用率)、Bandwidth(带宽)、Efficiency(能效)。

这四大指标精准对应了AI时代存储器所面临的四大核心矛盾:如何在有限空间内提升容量、提高利用效率、扩展带宽,同时降低功耗。CUBE战略的提出,意味着三星正从单纯追求性能参数,转向系统级的协同优化思路。

作为传统HBM路线的延续,三星计划将下一代HBM5的性能提升至HBM4E的2倍,同时每瓦性能提高20%,热阻降低20%。这一升级路径保持了对现有架构的兼容性,重点在于提升数据传输效率与能效比,以满足大模型训练对内存带宽的持续渴求。

如果说HBM5是HBM路线的延续,那么zHBM则可能代表一次架构级跃迁。传统HBM与GPU并列放置,通过先进封装实现高速互联;而zHBM则尝试将HBM直接堆叠在GPU上方,从根本上改变信号传输路径与散热结构。

三星为zHBM设定的性能目标极具挑战性:性能达到HBM4E的约8倍,每瓦性能达HBM4E的约3倍,热阻降低75%–90%

这一路线若能顺利落地,将极大缓解AI加速器在带宽、功耗和散热方面的三重瓶颈,为超大规模模型训练提供全新的内存架构底座。

针对大语言模型(LLM)对超大规模存储的刚性需求,三星同步推进zNAND-O的开发。该技术旨在实现比特密度达到DRAM的10倍,同时将读取带宽和能效分别提升至传统NAND的7倍。

三星计划于2028年启动zNAND-O样品供应,为未来AI数据中心提供更高密度、更高效能的存储选择。

【来源:快科技】

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