矽力杰申请晶体管结构及其制造方法专利，减小器件的比导通电阻
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2024-12-25 19:02:39
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金融界2024年12月25日消息，国家知识产权局信息显示，矽力杰半导体技术（杭州）有限公司申请一项名为“晶体管结构及其制造方法”的专利，公开号CN 119170643 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本发明提供一种晶体管结构及其制造方法，所述晶体管结构包括：位于阱区中的源区和漏区；位于所述阱区上表面的栅介质层；位于所述阱区上的场隔离阻挡层，从所述栅介质层至少延伸至所述漏区的上方，并覆盖所述漏区的上表面，并且，所述场隔离阻挡层在所述漏区的上表面至少具有一个漏区通孔；以及漏极，填充所述漏区通孔，以与所述漏区接触。本发明提供的晶体管结构不需要考虑以及漏极和金属硅化物阻挡层之间的间距，因此会减小器件的尺寸，进而减小器件的比导通电阻。
来源：金融界
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