金融界2025年2月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海新硅聚合半导体有限公司申请一项名为“一种压电异质结构、制备方法及半导体器件”的专利，公开号 CN 119497562 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本申请公开了一种压电异质结构、制备方法及半导体器件，包括衬底层、介质层、图形化电极层和压电功能层，介质层位于衬底层和压电功能层之间，图形化电极层位于介质层内，且图形化电极层的一侧暴露于介质层并与压电功能层电性连接；压电功能层具有相互背离的第一面和第二面，第一面为剥离面，剥离面位于压电功能层背离衬底层的一侧。本申请有利于降低图形化电极层与压电功能层间的应力，防止压电功能层发生解键合情况，提升压电异质结构的形貌精准性、可靠性、稳定性和耐久性；且应用于半导体器件中，能够使得在具有相同面内传播角度的情况下，机电耦合系数、散杂响应和工作频率等性能得到提升，满足多种半导体器件的性能需求。

天眼查资料显示，上海新硅聚合半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本37233.3333万人民币，实缴资本29000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新硅聚合半导体有限公司参与招投标项目119次，知识产权方面有商标信息6条，专利信息88条，此外企业还拥有行政许可11个。

来源：金融界