以下为研究报告摘要：

三星与长江存储就新的先进封装技术“混合键合”等达成合作。三星已确认从V10（第10代）开始，将使用中国NAND制造商YMTC的专利技术，特别是在新的先进封装技术“混合键合”方面。YMTC是最早将混合键合应用于3D NAND的企业，因此在相关技术上拥有强大的专利积累。三星电子选择通过与YMTC达成许可协议，而不是冒险规避专利，来化解未来可能出现的风险。

混合键合技术难度较大，海外设备占主导。混合键合分为晶圆对晶圆W2W和芯片对晶圆D2W，3D NAND使用W2W，省去了传统芯片连接中所需的凸点（Bump），使得电路路径变得更短，从而提高性能和散热特性，设备供应商主要为奥地利EVG、德国SUSS、荷兰BESI等公司，根据BESI中性假设推测，2030年混合键合设备需求总量预计达1400台，累计市场规模预计突破28亿欧元，约200亿人民币左右，这一增长主要由AI算力需求驱动。

国内拓荆科技、迈为股份等均布局混合键合设备。（1）拓荆科技布局了两款晶圆对晶圆键合产品（Dione300）和芯片对晶圆键合表面预处理产品（Pollux）。（2）迈为股份已推出混合键合设备，对位精度＜100nm，除此以外还推出了临时键合、激光解键合等设备。

投资建议：（1）后道先进封装：拓荆科技（混合键合）、迈为股份（混合键合、临时键合、解键合）、晶盛机电（减薄机）、华海清科（减薄机）、盛美上海（电镀机）、芯源微（涂胶显影+临时键合+解键合）、德龙激光（切片机）、大族激光（切片机）。（2）前道先进制程：北方华创、中微公司、微导纳米、中科飞测、精测电子等。（3）后道封测：华峰测控、长川科技。

风险提示：下游扩产速度不及预期，设备国产化进程不及预期。（ 东吴证券 周尔双,李文意 ）

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