晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及制备方法”_科技动态

晶合集成获得发明专利授权：“半导体器件及制备方法”

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2025-05-28 09:22:06

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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件及制备方法”，专利申请号为CN202510169848.5，授权日为2025年5月27日。

专利摘要：本发明涉及一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件中，由于在第一方向上第一侧墙的宽度变小，第二侧墙的宽度变大，所以可以在半导体器件在导电沟道长度不变的情况下，让靠近第一侧墙的衬底中的第一掺杂区相对于现有的宽度变大，此时就算第三掺杂区与第二掺杂区之间出现交叠，也不会影响到第一掺杂区的掺杂浓度，不会引起导通电阻的降低，让器件的耐压性能更好。此外在第一开口区中的衬底中同时设置第三掺杂区与第一掺杂区也可以节省器件的面积，提高器件的工作效率。

今年以来晶合集成新获得专利授权150个，较去年同期增加了7.14%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。

数据来源：天眼查APP

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