金融界2025年7月5日消息，国家知识产权局信息显示，成都微光集电科技有限公司申请一项名为“一种背照式图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN120264884A，申请日期为2025年05月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种背照式图像传感器及其制造方法，包括：采用光刻和刻蚀技术在衬底的焊盘区域形成凹槽；在衬底的表面沉积隔离层，隔离层包括两种不同材料交替层叠的隔离单元层；一种隔离单元层在研磨过程中作为研磨阻挡层，且研磨阻挡层位于隔离层的内部；在凹槽内的隔离层制作通孔并在凹槽内形成导电层；在处理后衬底的表面沉积介质层；多次研磨去除位于处理后衬底表面的介质层和隔离层；在对应衬底的逻辑电路区域形成衬底接地结构，并在衬底的像素区域形成金属格栅结构；至少去除凹槽内的介质层，以至少露出部分导电层。采用研磨的方式去除处理后衬底表面的介质层和隔离层，可以减少一层光罩的出版和一次光刻，降低生产成本。

天眼查资料显示，成都微光集电科技有限公司，成立于2014年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本3363.1655万人民币。通过天眼查大数据分析，成都微光集电科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息583条，此外企业还拥有行政许可3个。

来源：金融界