11月21日，2025年中国科学院院士增选结果正式揭晓，共选举产生中国科学院院士73人。松山湖材料实验室SiC及相关材料团队负责人陈小龙当选中国科学院院士。

陈小龙

中国科学院物理研究所博士生导师，松山湖材料实验室SiC及相关材料团队负责人。

1999年获国家杰出青年科学基金，2014年获万人计划领军人才称号，2023年获中国科学院年度创新人物称号，同年当选国际衍射数据中心（International Centre for Diffraction Data，ICDD）Distinguished Fellow。主要从事宽禁带半导体晶体生长和物性表征以及新电磁功能材料探索研究。2012~2022年担任中国科学院先进材料与结构分析重点实验室主任；2004~2012年担任中国晶体学会副理事长；2016-2020年担任ICDD副主席。现兼任中国物理学会x-射线衍射专业委员会主任。

先后主持国家重大科学研究计划、国家科技支撑计划和国家自然科学基金委重大研究计划集成项目等40余项。1999年开始从事碳化硅晶体生长研究工作，2006年在国内率先开展了碳化硅晶体产业化工作，并取得了良好的社会经济效益，发现了金属插层铁硒基系列高温超导体，开辟了国际超导研究新方向。在相关研究领域获得国家自然科学二等奖1项（第一完成人），中国科学院科技促进发展奖1项（第一完成人），中国科学院杰出成就奖（第二完成人），新疆生产建设兵团科技进步一等奖1项（第一完成人），中国发明协会发明创业特等奖（个人奖）。国内外期刊发表学术论文470余篇，授权发明专利70余项（国际专利6项）。

SiC及相关材料团队

及其产业化公司

团队产业化公司东莞市中科汇珠半导体有限公司成立于2020年10月，是集碳化硅 (SiC) 外延材料研发、生产及销售于一体的高新科技企业。公司秉承“以人为本 追求卓越”的发展理念，着力打造技术领先、业务精湛、前瞻创新的专业化团队，以推动我国第三代半导体产业高质量发展为使命，致力成为全球一流的半导体关键材料生产服务商。核心技术为高质量SiC外延量产技术，重在外延各个环节的工艺把控，最终表现为高质量和高良率带来的客户依赖及利润回报，创新点在于与器件制造工艺匹配的先进外延技术开发，外延缺陷分析检测以及延伸的外延设备核心工艺改进。

中科汇珠拥有丰富的SiC外延材料研发与生产经验，目前产品已取得国内头部SiC器件企业的多轮流片验证，具备规模量产能力。现公司研发总部位于广东省东莞市松山湖材料实验室，并在广州市设有两家全资子公司，专注于SiC外延片的生产与制造。

中科汇珠立足自主创新的SiC外延关键核心技术、协同国内顶级SiC衬底资源，持续在第三代半导体高价值产业链中深入布局，坚持以科技创新为引擎，为加快建设科技强国，实现高水平科技自立自强贡献企业力量。