芯联越州申请半导体器件及其制备方法专利，降低栅极电荷参数_科技动态

芯联越州申请半导体器件及其制备方法专利，降低栅极电荷参数

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2026-01-13 05:40:20

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国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121310564A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有外延层，外延层中形成有沟槽，沟槽的侧壁上形成有牺牲侧墙；刻蚀位于沟槽底部的外延层，以增加沟槽的深度；执行热氧化工艺，使位于沟槽底部的外延层氧化形成底部屏蔽介质层；去除牺牲侧墙；在沟槽中形成屏蔽栅。能够形成上表面较为平坦的底部屏蔽介质层，减小底部屏蔽介质层对MOSFET的栅极开启电压参数影响的同时，降低栅极电荷参数。

天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本398282.0957万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目59次，专利信息150条，此外企业还拥有行政许可26个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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