证券日报网讯 1月15日,立昂微在互动平台回答投资者提问时表示,立昂东芯拥有行业内首个将栅长0.15um的功率管、低噪声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的商业化以及可量产工艺技术,该技术融合了独立优化的栅长为0.15um的Emode低噪声pHEMT与0.15umDmode功率pHEMT,实现同芯片内业界性能领先的功率放大器和低噪声放大器。该技术以及其它多种0.15、0.25um的GaAspHEMT工艺技术和GaNHEMT工艺技术,既可应用于卫星的通信领域,也可应用于地面通信终端通信。目前应用于低轨卫星通信芯片已实现大批量出货,应用于地面通信终端的芯片已通过客户验证。
(编辑 任世碧)