【文/观察者网 阮佳琪】

当地时间3日，《日经亚洲》援引知情人士消息称，在全球存储芯片供应严重短缺的背景下，中国两大头部存储芯片制造商——长鑫存储、长江存储，正紧抓缩小与市场领导者差距的黄金机遇，启动史上最大规模的扩张计划。

据消息人士透露，作为中国最大的动态随机存取存储器（DRAM）厂商，长鑫存储正在上海扩建工厂，新增总产能将达到其合肥总部基地的两至三倍。

上述人士称，上海新厂将生产面向服务器、计算机、汽车电子及其他电子产品的DRAM，设备安装计划于2026年下半年启动，2027年正式投产；同时，该公司还在上海扩建高带宽存储器（HBM）生产线。HBM是人工智能领域的核心组件。

一位知情人士表示，长鑫存储在合肥、北京的两处工厂已处于满负荷运转状态，“本土企业需求极为旺盛，公司希望尽快扩大产能。”

2019年5月15日，长鑫存储首次亮相国际论坛 长鑫存储官网

与此同时，总部位于武汉的中国头部闪存（NAND）厂商长江存储也在当地建设第三座工厂，计划于2027年投产。

据消息人士所说，长江存储已明确新厂产能规划，除生产NAND外，50%产能将用于DRAM制造；同时还将与本土存储封装企业合作，为人工智能计算场景研发生产HBM。

三名消息人士向《日经亚洲》透露，长江存储已通过采用成熟制程设备生产存储芯片，在很大程度上突破了外国出口管制对芯片制造设备的限制，且已完成自主DRAM产品的研发工作。

“长江存储两年多前就启动自主DRAM研发，具备扎实的技术基础和市场支撑，未来量产高品质DRAM与HBM只是时间问题。”一位为长江存储供货的消息人士说道。

多名业内高管告诉日媒，中国存储芯片制造商的扩张将主要服务于国内需求。截至目前，两家公司暂未对此做出回应。

综合美媒报道，1月下旬，英伟达供应商美光科技曾表示，上一季度存储器芯片短缺问题进一步加剧，受人工智能基础设施高端半导体需求激增影响，短缺危机将持续至今年以后。

美光运营执行副总裁马内什·巴蒂亚指出，人工智能加速器所需的HBM占用了行业大量产能，直接导致手机、个人电脑等传统领域芯片供应严重不足；个人电脑和智能手机制造商已开始排队预订2026年之后的存储芯片订单，而自动驾驶汽车、人形机器人领域的发展，还将进一步推高需求。

上周，三星、SK 海力士也相继表示，受人工智能热潮推动，产品需求快速攀升，企业产能难以匹配，行业供应紧张局面将持续至2027年。SK 海力士直言，人工智能驱动的“爆炸性”需求正造成内存市场“极端”失衡。

日媒分析认为，本轮存储芯片短缺将持续一段时间，这为中国存储芯片企业带来了关键发展窗口期。企业可借此填补手机、汽车等产品所需中端市场的供应空白，在收获丰厚利润的同时，加速高端技术领域的赶超步伐。

“当前是中国存储厂商在全球供应链中站稳脚跟的最佳时机，手握存储芯片者就是赢家。”一家为美光、长鑫存储、长江存储供货的材料企业高管指出，存储行业的向好前景至少将持续两年以上。

据法国市场调研机构Yole集团数据，长鑫存储目前是全球第四大DRAM厂商，仅次于三星、SK 海力士和美光，按产能计算市场份额约 11.1%。Yole集团预计，到2027年这一比例将升至13.9%。

从产品布局来看，当前计算机、服务器内存条主流标准为DDR4和DDR5；LPDDR作为低功耗版本，主要应用于手机、平板、笔记本等移动端电子产品，主流标准为LPDDR5/5X。

长鑫存储已成功量产DDR4与LPDDR4，并加速向支撑AI基础设施升级的关键技术方向DDR5迭代，去年年底已官宣量产LPDDR5X；同时，受美国限制措施导致HBM供应中断影响，该公司正着力满足国内HBM需求。

加拿大咨询公司TechInsights曾表示，原本预计长鑫存储至少要到2025年底或2026年初才能具备量产LPDDR5的能力。作为一家2016年才成立的企业，长鑫存储起步时中国几乎没有自主DRAM生产能力，其技术迭代速度显著快于行业预期。

TechInsights副主席丹·哈奇森指出，虽然长鑫存储的全球市场份额仍然相对较小，且主要集中在中国，但其在高度商品化的DRAM领域的快速发展正在产生“滚雪球效应”。

“你获得的市场份额越大，产量就会越大，收益率就会越高，继而降低生产成本。而这意味着，你的市场份额将继续扩大，”哈奇森解释说，“20世纪80年代和90年代，韩国人正是通过这种方式将日本人挤出了内存领域，而现在，历史正在重演。”

2025年10月29日，长鑫存储官宣量产LPDDR5X。

得益于政策驱动的本土供应链需求，长江存储的市场份额也在持续提升。Yole集团预计，到2025年，其晶圆产能份额约为12%，到2028年有望增长至15%。

去年2月，长江存储曾以一则简短消息轰动行业：这家历经多轮断供考验的企业，凭借自主独创技术，开始向海外巨头授权关键技术专利，实现中国存储技术的反向输出。

《长江日报》评价这场“绝地反击”时写道：整整23年持续攻关，中国存储产业每一步突破，都在将“卡脖子”的手一寸寸推开。勇攀世界半导体存储科技高峰，“卡，是卡不住的。”

如今，长江存储已在超高层三维闪存工艺上实现全球领跑，市场份额持续提升，稳居世界前五。

“基于我们对供应链的调研，中国存储芯片厂商正扩大产能以应对激增的需求。”Yole集团亚洲区主管Gary Huang表示，全球存储供应紧张为新兴厂商创造了有利环境，使其拥有更健康的财务状况以支持扩张。

“中国大力推进本地化生产和政府支持也起到了推动作用。这些因素共同促进更多企业采用替代内存供应来源，为本土企业创造了新的商机。”他补充道。