英特尔正在与软银子公司SAIMEMORY合作，通过开发Z-Angle Memory(ZAM)技术间接重返内存业务，该技术与高带宽内存(HBM)类似，都基于堆叠DRAM架构。

英特尔工程师希望在提高内存容量和性能的同时降低能耗。他们参与了由美国能源部和国家核安全管理局(NNSA)联合运行的美国先进内存技术(AMT)研究开发计划。工程师们在下一代DRAM键合(NGDB)项目中开发了一种堆叠DRAM层的键合方法，展示了更高的DRAM密度和带宽，同时实现了更低的延迟和能耗。英特尔现在正与SAIMEMORY合作，将ZAM技术商业化用于高性能计算和AI领域，英特尔贡献基础技术，东京大学的学术专利也参与其中。

英特尔政府技术首席技术官兼研究员Joshua Fryman博士表示："英特尔的下一代DRAM键合(NGDB)计划展示了一种新颖的内存架构和革命性的组装方法，显著提高了DRAM性能，降低了功耗，并优化了内存成本。标准内存架构无法满足AI需求，因此NGDB定义了一种全新的方法来加速我们度过下一个十年。"

一些报告提到基础芯片上堆叠了八层DRAM。其他报告建议HBM密度翻倍或更多，单个芯片容量达到512GB，功耗降低一半。

桑迪亚实验室的一篇文章显示了ZAM的低分辨率图像。图片说明称："上面NGDB测试组件的横截面图展示了非常规组装。八个包含新颖NGDB DRAM架构的晶圆垂直键合在基础晶圆上，并使用替代的'一体化通孔'结构连接。"我们基于这张图像制作了示意图，希望能让事情更清楚。

与HBM通过多个TSV(硅通孔-电信号连接路径)穿过DRAM层的设计不同，ZAM使用单个"一体化"TSV通过接触环为每个晶圆提供电源和信号。这意味着晶圆中有更多空间用于DRAM，因为需要的TSV空间更少。

SAIMEMORY总部位于东京，由技术投资控股公司软银拥有。该公司由软银于2024年12月成立，旨在开发以AI为重点的下一代半导体内存技术，作为HBM的替代方案，公司名称于2025年5月从占位符文本更改为SAIMEMORY。这不是传统的创始人/工程师主导的初创公司。

公司总裁兼首席执行官是山口英也，首席技术官Stephen Morein于去年8月加入。山口在东芝公司半导体领域有近40年的职业生涯，在全球半导体市场方面经验丰富，负责SoC工程、协调销售子公司并支持国际扩张。

Morein来自英特尔，曾担任高级首席工程师、系统和硅架构师。他的LinkedIn资料显示他是SAIMEMORY的联合创始人。他加入该公司是为了将新的内存技术推向商业化。

软银计划到2027财年向SAIMEMORY投资30亿日元(2000万美元)。富士通也参与SAIMEMORY，与日本理化学研究所一起贡献10亿日元(700万美元)。据了解，其他合作伙伴包括新光电气工业、力积电半导体制造和东京大学。

英特尔不会参与DRAM制造，力积电将负责制造。除非英特尔参与制造基础逻辑层，否则这里似乎没有英特尔代工业务的参与。

日本曾经是半导体内存市场的重要参与者，但这一地位随着美光在2012年收购尔必达等事件而丧失。现在内存生产由韩国企业三星和SK海力士主导。SAIMEMORY可以被视为日本重新进入半导体内存市场的潜在方式。

SAIMEMORY的运营目标是在本季度即2026年第一季度开始，2027年推出原型产品，2030年实现商业化。到那时我们可能会看到HBM5或更高版本的产品。

Q&A

Q1：ZAM技术相比HBM有什么优势？

A：ZAM技术使用单个"一体化"TSV通过接触环为每个晶圆提供电源和信号，而HBM需要多个TSV穿过DRAM层。这意味着晶圆中有更多空间用于DRAM存储，因为需要的TSV空间更少，从而实现更高密度、更低功耗和更优成本。

Q2：SAIMEMORY公司什么时候能推出ZAM产品？

A：SAIMEMORY计划在2026年第一季度开始运营，2027年推出原型产品，预计到2030年实现商业化。软银计划到2027财年向该公司投资30亿日元，富士通和日本理化学研究所也将贡献10亿日元。

Q3：英特尔在ZAM项目中扮演什么角色？

A：英特尔贡献基础技术，特别是在美国先进内存技术研发计划中开发的下一代DRAM键合(NGDB)技术。英特尔不会参与DRAM制造，制造工作将由力积电负责。英特尔主要提供技术支持和专利贡献。