近日，晶升股份官微宣布，在2026年春节前期，晶升股份自主研发的首台CZT（碲锌镉）晶体生长设备样机顺利出货。

据介绍，此次出货的CZT晶体生长设备，精准适配CZT晶体生长核心工艺需求，设备可稳定承受数MPa高压，在严苛工况下能完成坩埚高精度升降、旋转等动作，搭载多段加热器，可实现800-1100℃精准控温，其工艺腔体设计与热场控制系统可兼容磷化铟（InP）单晶的生长条件，可快速应用于高频电子器件衬底的制备。此外，该平台还具备向砷化镓（GaAs）、碲化镉（CdTe）等化合物半导体材料拓展的潜力。

CZT晶体作为重要的II-VI族化合物半导体材料，拥有优异的室温核辐射探测性能、高电阻率及良好的能量分辨率，是高端辐射探测的核心基石，广泛应用于核医学成像、安检设备、空间探测、工业无损检测及国防安全等多个战略领域。

资料显示，晶升股份成立于2012年，专注于晶体生长设备和材料制备技术的研发、生产与销售，重点攻克大尺寸半导体级单晶硅炉、碳化硅（SiC）长晶炉等关键装备的技术难题。目前，公司主营业务涵盖半导体级单晶硅炉、碳化硅单晶炉等核心产品。

2025年12月29日，公司宣布自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已完成小批量发货并正式交付客户使用，为12英寸碳化硅在先进封装及AR眼镜等新兴领域的应用奠定了坚实的国产化材料根基。

2026年1月，公司将对全资子公司南京晶升半导体科技有限公司的20255万元募集资金无息借款转为增资，用于半导体晶体生长设备总装测试厂区建设项目，近日该子公司已完成工商变更登记手续，为后续产能扩张奠定基础。

（文/集邦化合物半导体整理）

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