4月7日消息，韩国媒体Sedaily援引知情人士的消息报道称，三星电子已确定向光刻机大厂ASML和佳能订购了约70台光刻机，总金额高达10万亿韩元（约67亿美元）。

报道称，三星向ASML订购了约20套用于10nm以下先进制程的极紫外光（EUV）光刻机，同时还向ASML和日本佳能订购了约50台DUV光刻机，使得此次总订购规模达到约70台。

这些设备主要用于平泽园区P5工厂的产线，用以提升10nm级第六代1c DRAM制程的产能。随着1c DRAM制程的生产效率提高，采用该制程技术所生产的HBM4 产量也将随之提升。

资料显示，三星电子目前拥有约40台EUV光刻机，是SK海力士的两倍。但是，SK海力士在今年3月已经宣布，将在2027年12月31日前向ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿美元）的EUV光刻机（大约30台左右），以提升在DRAM领域的竞争力。

显然，面对SK海力士的大手笔采购EUV设备的举措，三星如果要巩固自身在DRAM市场的领导地位，并在后续与SK海力士在HBM市场的竞争中取得优势，也必然需要锁定产能本就有限的关键制造设备——EUV光刻机。

三星在2026年2月宣布，已率先达成HBM4的量产，并向全球最大AI芯片公司英伟达发货。 该HBM4将搭载于英伟达最新Rubin GPU 中。市场预计，Rubin GPU将于2026年下半年正式出货，以供应给谷歌、亚马逊等美国科技大厂，并带来超过1万亿美元的市场规模。

与此同时，三星也在配合Rubin GPU上市节奏，扩大华城H3 工厂17线，以及平泽P3、P4 工厂的HBM4 产能。随着此次订购的EUV光刻机的陆续导入，三星的DRAM 与HBM4 产量预计将同步提升，进而进一步巩固其在内存市场的领先地位。

据悉，三星此次订购的光刻机预计将配合2027年第一季建成的P5一期项目的无尘室投入使用。考虑到半导体设备从下单到发货通常需要约一年时间，预计三星将在2027年第二季将包括EUV 在内的光刻机设备导入P5 工厂无尘室。因此，2027年下半年三星的1c 制程DRAM 及HBM4 产能有望大幅提升。

一位熟悉情况的市场人士指出，过去新建晶圆厂通常优先布局NAND Flash产线，但此次由于HBM4 预期出货量大增，使得三星决定优先扩建DRAM 产线。

分析师还认为，三星此次大规模采购的EUV光刻机也有望在即将应用于HBM5E的10纳米级第七代DRAM（1D）芯片的研发竞争中获得优势。

不过，对于斥资10万亿韩元订购光刻机的传闻，有国内媒体报道称，三星方面称“消息不实，公司至今尚未有相关决策”。但是，Sedaily的报道目前仍保留原有的说法，并未进行更新。

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编辑：芯智讯-浪客剑