【CNMO科技消息】据海外媒体报道，台积电2nm芯片研发进展顺利，正按计划稳步推进，有望在2nm工艺节点竞争中抢占先机，AMD更是率先完成流片，领跑苹果与英特尔。

目前，台积电2nm工艺节点在开发过程中表现出色，其缺陷率显著优于3nm和7nm工艺在相同研发阶段的表现。

据报道，该节点芯片的良率现已达到台积电成熟5nm工艺的水平，并预计将于2025年第四季度正式进入大规模量产阶段。

此次技术跃进的关键在于台积电采用了全新的GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管）架构。相较于传统的FinFET架构，GAAFET架构中的每个晶体管都采用了被栅极材料完全包裹的nm片结构，这一变革大幅提升了晶体管密度，有效降低了漏电现象，并显著降低了功耗。这是台积电首次在量产芯片中应用GAAFET架构，标志着其在半导体制造技术上的又一次重大突破。

在客户合作方面，AMD成为首批受益者，其下一代代号为“Venice”的EPYC芯片已率先完成流片，预计将成为2nm节点的首发产品。相比之下，苹果的iPhone 18和英特尔的Nova Lake CPU虽也计划采用台积电的2nm技术，但上市时间将稍晚于AMD。

台积电的2nm工艺客户名单堪称豪华，苹果、AMD、英特尔、英伟达、高通、联发科以及博通等芯片设计领域的巨头均已预订产能。其中，英伟达的Rubin GPU最初将采用3nm工艺制造，但未来有望升级至2nm工艺。

台积电董事长魏哲家表示，市场对2nm工艺的需求空前高涨，远超此前3nm工艺引发的抢购热潮。