在目前的芯片制造工艺中，光刻机确实是最为重要，最为核心的半导体设备之一。

最关键的是，当前能制造光刻机的厂商，全球仅4家，分别是荷兰ASML（阿斯麦）、日本尼康（Nikon）、日本佳能（Canon）和中国上海微电子装备有限公司（SMEE），且这4家差距非常大。

特别是EUV光刻机，这种制造7nm以下芯片的光刻机，全球仅ASML一家能够制造，所以ASML的EUV是奇货可居，全球需要制造先进芯片的厂商，都得找它买。

而美国在中间搞风搞雨，控制着ASML，不允许其向中国销售EUV光刻机，甚至对高端的浸润式DUV，也进行限制，所以对于我们而言，必须研发出自己的光刻机才行。

问题就来了，目前国产光刻机，究竟走到哪一步了？

目前国产公开的，光刻机最强的是上海微电子，公开的光刻机是SSA600，按照官方说法，可满足IC前道制造90nm、110nm、280nm关键层和非关键层的光刻工艺需求，可用于8寸产线或12寸产线。

不过，也人有称，目前国内还有另外的光刻机，毕竟去年就表示过，有氟化氩光刻机，套刻精度小于等于8nm，它可其实可以说是浸润式DUV光刻机前，最接近浸润式光光刻机的产品了，可以用于28nm的工艺。

不过，不管是这台SSA600，还是氟化氩光刻机，只要没有达到浸润式，那么再先进，也是先进的有限。

ASML的CEO，虽然一直说如果限制光刻机卖给中国，那么中国就有可能会研发出先进的光刻机，然后取代ASML，但对方也在说，目前中国的光刻机技术，落后ASML至少10年以上。

因为ASML早在10多年前，就已经搞出了浸润式DUV，而我们离浸润式DUV，都还没有搞定，这中间的差距，不就是10多年么？

有人称，目前美国打压我们芯片产业的核心，其实就是光刻机，如果我们有了自己的先进光刻机，特别是EUV光刻机，那么针对我们的芯片打压，就再也无效了，但是这台EUV光刻机有多难，估计很多人并不清楚，是真的也许5年、8年，都不一定能研发的出来啊。