5月29日，三星电子宣布首次向全球客户提供最新一代高频宽内存——12层堆叠的HBM4E样品，该芯片将成为下一代人工智能加速器的核心，将有望巩固其在 HBM 市场的领先地位。

据介绍，三星电子的HBM4E采用了基于前代 HBM4 中已验证的最先进工艺的 1c（10nm 级第六代）DRAM 和其自有代工厂的 4nm 逻辑芯片。经评估，它通过最大限度地提高超精细工艺的稳定性，同时确保良率和大规模生产能力，建立了竞争对手难以企及的压倒性准入壁垒。

在存储性能方面，该HBM4E通过设计和工艺优化，实现了无与伦比的规格。它支持每引脚14Gbps至最高16Gbps的运行速度，与上一代HBM4相比，速度提升超过20%。此外，它以单个堆栈为单位提供每秒 3.6 TB（太字节）的带宽，最大限度地提高了大规模语言模型 (LLM) 和下一代 AI 系统的计算速度。

在容量方面，HBM4E 12层产品实现了48GB（千兆字节）的高容量，比上一代产品提升了30%以上。三星电子正在计划无缝扩展产品线，推出32GB（8层）和64GB（16层）产品，以满足客户多样化的业务环境需求。

此外，通过集成低功耗设计和封装结构优化技术，与之前的型号相比，HBM4E的能源效率显著提高了 16%，热阻提高了 14% 以上。过彻底解决高负载人工智能计算环境中的关键发热问题，它保证了产品的长期可靠性，并有效地为降低全球数据中心的能耗提供了突破性的解决方案。

三星电子计划以此次HBM4E样品供应为起点，按照客户的进度安排进行批量生产。三星电子计划凭借全球唯一的“一站式交钥匙解决方案”（涵盖存储器、晶圆代工、系统LSI和先进封装），确保无缺陷的稳定供应。

三星电子存储器事业部开发副总裁黄相俊强调：“通过成功完成HBM4的量产和下一代HBM4E样品的无缝供应，我们已在市场上牢牢确立了三星电子无可匹敌的技术领先地位。”他补充道：“展望未来，我们将凭借压倒性的技术优势和对生产基础设施的先发制人投资，大力引领全球人工智能存储器市场的增长。”

与此同时，三星电子也在扩大 HBM4 的量产供应，HBM4 是世界上第一款量产并于今年 2月出货的芯片。三星电子表示，全球客户对三星HBM4的速度和能效给予了积极评价。去年12月，三星电子的HBM4在系统级封装（SiP）测试（最终认证阶段）中展现了业界领先的11.7Gbps速度，获得了最高评级。

编辑：芯智讯-浪客剑