在AI永不满足的需求驱动下，全球存储芯片市场正进入一场前所未有的“饥饿游戏”。

据追风交易台消息，摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示，由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。

报告指出，这一轮周期的核心驱动力来自AI计算对高性能内存的巨大需求，其影响已从高端的高带宽内存（HBM）迅速扩展至传统DRAM和NAND闪存。市场动态显示，供应商在未来12个月内可能难以满足全部需求，从而支撑价格持续走强。

这场行业变局不仅限于DRAM市场的价格复苏，NAND闪存市场同样在经历强劲反弹，部分原因是硬盘驱动器（HDD）出现严重短缺，迫使客户转向企业级固态硬盘（eSSD）。

因此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。

HBM引领，DRAM迎来罕见长周期

报告明确指出，DRAM市场正迎来一个从2024年持续至2027年的“前所未有的四年定价上行周期”。这一罕见的长周期打破了过去数年“大起大落”的行业规律，其背后的稳定器正是HBM。

报告预测，到2027年，HBM在DRAM市场总价值中的占比将高达43%。HBM的高价值和强劲需求将有效平滑传统DRAM价格的周期性波动，从而抬高整个DRAM市场的利润底线。

报告认为，即使在2026年HBM3E产品可能因供应增加而降价，但由于下一代HBM4将享有约35%的溢价，混合HBM平均售价（ASP）在2026年仍不太可能下降。

竞争格局方面，SK海力士被认为在HBM4的竞赛中处于领先地位，有望比竞争对手更早获得英伟达的认证，这可能使其占据超过60%的市场份额。报告认为，三星电子和美光或将争夺剩余的HBM4订单。

全球存储市场规模或达3000亿美元

本轮存储芯片需求的广度是其核心特征之一。除了作为焦点的HBM，需求正向更多元化的应用扩展，共同加剧了供应紧张的局面。

报告强调，用于英伟达下一代Vera CPU的SOCAMM2内存模组，以及用于Rubin CPX GPU的GDDR7显存，都将成为拉动DRAM需求的新增长点。

AI推理、AI服务和边缘AI应用的兴起，要求通用服务器也必须升级内存配置，以获得更低的延迟和更优的功耗表现。

基于此，摩根大通大幅上调了全球存储市场的规模预测，将2025至2026年的全球存储市场总体有效市场规模（TAM）预测上调了6%至24%，并预计到2027年，市场规模将达到近3000亿美元。

报告预计，到2027年，仅AI相关应用就将占据DRAM市场 TAM的53%。为应对需求激增，存储芯片制造商预计将在2026至2027年将资本支出（Capex）提高7%至12%，其中DRAM的产能扩张将是优先事项。

NAND市场复苏强劲，eSSD成关键增长点

在经历了长达两年的投资不足后，NAND闪存市场也迎来了强劲的定价复苏。

报告分析，这一转变主要得益于企业级固态硬盘（eSSD）需求的激增。一个关键的外部因素是传统硬盘驱动器（HDD）的供应短缺。据媒体报道，部分近线HDD的交付周期已长达52周。这使得原本主要由HDD主导的近线存储市场，开始大规模将eSSD作为替代方案。

与此同时，随着AI模型从训练转向推理应用，对数据读取速度和延迟的要求变得更高，这使得NAND的结构性重要性日益凸显。

摩根大通预计，NAND价格仍有进一步上涨空间，其混合平均售价在2026财年将同比增长7%。报告同时补充称，虽然AI推理对存储的需求是结构性的，但其确定性不如HBM之于GPU计算，因此对NAND市场的长期前景持相对审慎乐观的态度。（华尔街见闻）